抑制性突触后电位

1.兴奋性突触后电位（EPSP）：是指突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化。其产生机制是兴奋性递质作用于突触后膜的相应受体，使递质门控通道（化学门控通道）开放，后膜主要对Na+的通透性增大，发生净内向电流，从而引起后膜的局部去极化。 2.抑制性突触后电位（IPSP）：是指突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部超极化电位变化。其产生机制是抑制性递质作用于突触后膜...